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[发明专利]一种用于优化黑硅表面结构的处理方法-CN201510651538.3在审
发明人：刘长明;金井升;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2015-10-10 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于优化黑硅表面结构的处理方法，包括以下步骤：a)将黑硅原料在氢氟酸溶液中进行清洗，得到待处理的黑硅；b)将待处理的黑硅在碱性溶液中进行反应，再经水洗，得到处理后的黑硅；c)将处理后的黑硅进行酸处理，得到优化后的黑硅表面结构。采用本发明提供的处理方法对黑硅表面结构进行优化，不仅能够有效去除黑硅表面的多孔硅和金属离子杂质，还能够去除黑硅表面损伤和悬挂键，降低黑硅表面结构的复合速率，得到优化后的黑硅表面结构，在保证其具有较低反射率的同时，能够提高黑硅相应电池效率和相应组件功率。实验结果表明，采用本发明提供的处理方法优化后的黑硅相应电池效率在19％以上，相应组件功率在270W以上。
一种用于优化表面结构处理方法

[发明专利]一种高吸收、宽光谱黑硅复合材料及其制备方法-CN202210325722.9在审
发明人：米冠宇;吕坚;阙隆成;周云;黄建;刘钟远;谭成 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高吸收、宽光谱黑硅复合材料及其制备方法。包括对硅衬底进行黑硅化处理，得到黑硅，所述黑硅表面具有尖锥阵列；向黑硅表面溅射沉积TiN纳米颗粒。本发明利用“黑硅化”在传统硅表面形成均匀、大面积尖锥状黑硅结构；再利用“黑硅表面沉积TiN纳米颗粒”，使得黑硅表面微结构更加复杂，增加了光在黑硅尖锥间的反射次数，材料吸收率获得提升；同时通过磁控溅射，在尖锥状黑硅表面沉积
一种吸收光谱复合材料及其制备方法

[发明专利]制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法-CN201710686567.2有效
发明人：李华高;雷仁方;廖乃镘;杨修伟;郭培 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法，该方法先在工艺片上制作出黑硅，然后通过低温工艺在黑硅表面制作出钝化层；本发明的有益技术效果是：提出了一种制作黑硅及黑硅表面钝化层的方法，该方法可以在低温条件下使黑硅表面钝化，从而避免高温工艺所存在的各种问题，有效提高黑硅的品质。
制作表面钝化方法

[发明专利]黑硅、制备工艺及基于黑硅的MEMS器件制备方法-CN201710871041.1有效
发明人：毛海央;杨宇东 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种黑硅制备工艺，包括：在一衬底上形成聚合物层；去除聚合物层，并利用去除聚合物层过程中的产物在聚合物层的初始位置上形成纳米森林结构；以及在纳米森林结构上沉积硅薄膜材料层，完成黑硅制备。本公开还提供了一种采用上述黑硅制备工艺制备的黑硅及上述基于黑硅的MEMS器件制备方法。本公开黑硅、制备工艺及基于黑硅的MEMS器件制备方法，通过采用工艺成本低、普及度和适应度广泛的黑硅制备工艺制备出光吸收能力更高的黑硅，且采用上述基于黑硅的MEMS器件制备方法避免了黑硅在MEMS器件的释放过程中受到腐蚀破坏
制备工艺基于 mems 器件方法

[发明专利]结合离子束表面活化溅射和反应离子刻蚀的黑硅制备工艺-CN201410343579.1在审
发明人：余瑞琴 -专利权人：余瑞琴
申请日： 2014-07-18 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了结合离子束表面活化溅射和反应离子刻蚀的黑硅制备工艺，解决现有的黑硅制备工艺复杂，刻蚀精度不高的问题。包括步骤：（1）将硅片置于真空室中；（2）用低能离子束均匀照射硅片，在硅片表面生成均匀的周期性纳米结构；（3）将在步骤（2）中经过照射后的硅片置于反应离子刻蚀真空室中，生成黑硅。本发明在整个制备黑硅的过程中能够把硅表面纳米结构形貌和黑硅层厚度这两个影响黑硅光反射特性的参数分别控制，进而可以事先设计黑硅表面纳米结构和黑硅层厚度，达到对黑硅结构进行优化以适合任何不同要求的目的；硅表面纳米结构和黑硅层厚度可人为灵活地控制，黑硅层的消耗小，刻蚀精度高，并且工艺过程简单，具有很大的实用价值。
结合离子束表面活化溅射反应离子刻蚀制备工艺

[发明专利]一种制作黑硅太阳电池的方法-CN201810218555.1有效
发明人：王英超;徐卓;郎芳;王红芳;刘杰;王平;李锋 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明适用于光伏技术领域，提供了一种制作黑硅太阳电池的方法，该方法包括：对第一次制绒后的黑硅样片进行反射率测试；筛选出反射率在预设反射率范围内的黑硅样片进行凹坑直径测试，所述凹坑直径为第一次制绒后产生的凹坑的直径；筛选出凹坑直径在预设凹坑直径范围内的黑硅样片进行表面钝化，在黑硅样片表面形成钝化层；对钝化后的黑硅样片进行钝化层膜厚测试；筛选出钝化层膜厚在预设钝化层膜厚范围内的黑硅样片制作成黑硅太阳电池。本发明通过测试制绒后的黑硅样片的反射率、制绒产生的凹坑直径，以及钝化层膜厚，检测制绒效果，减少低转换效率的黑硅太阳电池的产生，提高黑硅太阳电池良品率，降低黑硅太阳电池生产成本。
一种制作太阳电池方法

[发明专利]黑硅材料与金属电极之间欧姆接触的判定与测试方法-CN201210039165.0有效
发明人：李伟;李雨励;何敏;赵国栋;李世彬;吴志明;蒋亚东 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：黑硅材料与金属电极之间欧姆接触的判定与测试方法，属于半导体光电子材料与器件技术领域。本发明的方案要点为：1、通过带反向电压偏置的三电极横向测试装置，直接测试金属/黑硅材料的I-V特性曲线，判定黑硅材料与金属电极之间的接触类型。2、用带反向电压偏置的传输线模型法(TLM法)对黑硅材料的欧姆接触进行测试，得出其比接触电阻。本发明解决了传统的金属/黑硅/单晶硅三明治结构中黑硅/单晶硅异质结对黑硅材料欧姆接触的判定和测试造成的影响，能精确测试金属/黑硅的比接触电阻值。
材料金属电极之间欧姆接触判定测试方法

[发明专利]一种制备黑硅的方法-CN201410427270.0在审
发明人：刘震;杨海贵;刘海;高劲松 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2014-08-26 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备黑硅的方法，属于黑硅材料制备的技术领域。本方法解决了现有黑硅的制法的不足。本发明提供的制备黑硅的方法包括：对基片进行表面清洁处理；采用共蒸发法在上述基片表面沉积厚度为大于3μm的硅铝共掺杂膜；将镀有硅铝共掺杂膜的基片浸泡在碱刻蚀溶液中，采用超声波对镀有硅铝共掺杂膜的基片进行处理后，用去离子水清洗并用氮气吹干，制备得到黑硅。该方法简化制备工艺的过程，降低黑硅的制备成本，适合大面积黑硅的制备，同时避免使用昂贵复杂的制造设备以及对环境、人体产生危害。
一种制备方法

[发明专利]广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构及制作方法-CN201110119980.3无效
发明人：黄永光;朱小宁;刘德伟;王熙元;马丽;朱洪亮 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：一种广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池的结构，包括：一n型硅衬底；一黑硅层，该黑硅层制作在n型硅衬底上；一i型氢化非晶硅层，该i型氢化非晶硅层制作在黑硅层上；一p型氢化非晶硅层，该p型氢化非晶硅层制作在i型氢化非晶硅层上；一n+型重掺杂层，该n+型重掺杂层制作在n型硅衬底的背面，形成广谱吸收的非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构。
广谱吸收非晶硅黑硅异质结太阳能电池结构制作方法

[发明专利]一种有机硅/黑虎掌菌多糖纳米复合物、制备方法及应用-CN201910930424.0有效
发明人：陈蕾;董会彬;陈彦;蒋云;杨军岭;张文娜;王亚 -专利权人：安徽大学
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： A61K9/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机硅/黑虎掌菌多糖纳米复合物的制备方法，包括如下步骤：制备黑虎掌菌粗多糖；制备黑虎掌菌纯多糖，将黑虎掌菌粗多糖，置于层析柱中分离得到多糖组分，将多糖组分冷冻干燥72h，即得黑虎掌菌纯多糖；将有机硅、所述的黑虎掌菌纯多糖分别溶于水，然后分别溶解得到有机硅溶液和黑虎掌菌纯多糖溶液，再将有机硅溶液与黑虎掌菌纯多糖溶液混合，得到有机硅/黑虎掌菌多糖混合溶液，将有机硅/黑虎掌菌多糖混合溶液超声处理，得到有机硅/黑虎掌菌多糖纳米复合物。本发明有机硅/黑虎掌菌多糖纳米复合物具有更好的清除自由基的效果，改善细胞形态，提高抵抗过氧化氢损伤的能力，无毒副作用，制备方法简单。
一种有机硅黑虎掌菌多糖纳米复合物制备方法应用

[发明专利]黑硅电池片及其制备方法及黑硅光伏组件-CN201610181805.X在审
发明人：魏青竹;汪燕玲;连维飞;倪志春 -专利权人：中利腾晖光伏科技有限公司
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明的提供一种黑硅电池片的制备方法及其制得的黑硅电池片及包括该黑硅电池片的黑硅光伏组件，在黑硅电池片的表面形成周期性减反射结构，绒面面结构规则，黑硅电池片的反射率低，制得的黑硅光伏组件的CTM高。一种黑硅电池片的制备方法，依次包括如下步骤：S1、用酸溶液对硅片制绒；S2、在所述硅片的表面上形成一层掩膜，所述掩膜具有若干等间隔分布的掩膜单元，各所述掩膜单元包括若干均匀排列的掩模图形；S3、选择性地对所述硅片进行
电池及其制备方法黑硅光伏组件

[发明专利]一种用于优化黑硅表面结构的处理液及处理方法-CN201510651827.3在审
发明人：刘长明;金井升;蒋方丹;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2015-10-10 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于优化黑硅表面结构的处理液和处理方法，所述处理液包括以下组分：刻蚀剂1重量份；缓冲剂1重量份～15重量份；氧化剂1重量份～15重量份；水20重量份～400重量份；所述刻蚀剂为氢氟酸。本发明提供的处理液通过刻蚀剂、缓冲剂和氧化剂的协同作用，使处理液能够缓慢而均匀的对黑硅表面结构进行优化，去除黑硅表面损伤和悬挂键，降低黑硅表面结构的复合速率。本发明采用上述处理液将黑硅进行表面处理，得到优化后的黑硅表面结构，在保证黑硅具有较低反射率的同时，能够提高黑硅相应电池效率和相应组件功率。
一种用于优化表面结构处理方法

[发明专利]一种基于黑硅的表面增强拉曼光谱基底制备方法-CN202210914489.8在审
发明人：张书耀;张普;张笑墨;朱香平;王博;任文贞;赵卫;白晋涛 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C23C14/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种光学材料制备方法，具体涉及一种基于黑硅的表面增强拉曼光谱基底制备方法，以解决现有技术通常都涉及较为复杂的材料合成以及加工工艺，难以实现短时间内大规模制备的技术问题。该制备方法，包括以下步骤：S1.1在SF6氛围中，通过飞秒激光进行辐照，获得黑硅；将黑硅通过激光切割为黑硅切片；S1.2通过蒸发镀膜的方式，在黑硅切片表面沉积不同厚度的贵金属薄膜，获得黑硅基底；将多片黑硅基底分别浸入到不同浓度的4‑MBA标准乙醇溶液中，然后取出并干燥；采集各黑硅基底表面的拉曼光谱，以拉曼光谱中4‑MBA分子特征峰峰值最大值对应的黑硅基底表面贵金属薄膜厚度，作为贵金属薄膜的最优厚度
一种基于表面增强光谱基底制备方法

[发明专利]室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法-CN202110272478.X在审
发明人：吴锂;孙剑;陆明;胡斐;戴希远 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-03-13 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明属于光电探测技术领域，具体为一种室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及制备方法。本发明的红外探测器结构从上到下依次为：银栅线、正面电极、钝化层、正面黑硅层、硅衬底、背面黑硅层、金属层、N型硅（或P型硅）薄膜、背面电极。本发明利用黑硅在紫外‑近红外波段的减反特性提高探测器近红外光的吸收；利用金属分别与硅衬底（或背面黑硅层）以及N型硅（或P型硅）薄膜形成的肖特基结吸收近红外光并产生光生载流子，并且利用硅衬底（或背面黑硅层）与N型硅（或P型硅）薄膜接触形成的PN结的结区，实现光伏效应的探测，在零偏压下探测近红外光。
室温下光伏型黑硅肖特基结红外探测器及其制备方法

[实用新型]一种黑硅太阳电池片的封装结构-CN201521092299.4有效
发明人：王凌祥;谢伟;朱生宾;崔廷;蒋明强 -专利权人：合肥晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种黑硅太阳电池的封装结构，包括覆盖在所述的黑硅太阳电池4表面的封装玻璃2，所述的封装玻璃2上镀有减反射玻璃镀膜层1；所述的黑硅太阳电池4由黑硅太阳电池片6所串联而成的电池串串联构成，相邻的黑硅太阳电池片本新型的黑硅太阳电池的封装结构能够提高封装所得到的黑硅太阳电池组件的功率。
一种太阳电池封装结构

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